Recent #EUV Lithography news in the semiconductor industry
03/21/2025, 06:28 AM UTC
imec与蔡司深化战略合作伙伴关系Imec and Zeiss extend strategic partnership
➀ imec与蔡司签署了战略合作伙伴关系协议，以推进半导体技术。
➁ 合作伙伴关系侧重于高数值孔径极紫外光刻和其他关键半导体制造技术。
➂ 蔡司将通过参与研究项目和提供光刻光学设备来支持imec，增强imec的试点线能力。
03/12/2025, 05:00 PM UTC
与Irresistible Materials公司Dinesh Bettadapur CEO的访谈CEO Interview with Dinesh Bettadapur of Irresistible Materials
➀ 贝塔达普是Irresistible Materials公司的首席执行官，该公司专注于为半导体制造提供EUV光刻胶材料。
➁ 公司的MTR™平台解决了传统光刻胶材料的局限性，并提供了显著的成本节约。
➂ Irresistible Materials与领先的半导体制造商紧密合作，致力于开发EUV光刻的创新解决方案。
03/01/2025, 11:52 PM UTC
ASML 技术护城河The Impenetrable Technological Moat of ASML
➀ ASML的EUV光刻技术实现了极高精度，需要大量资源，总成本高达25亿美元。关键技术包括将激光发射至锡滴产生等离子体光源，每秒执行5万次，热量达太阳表面40倍。EUV机器还依赖超光滑镜子，精度极高。
➁ ASML的技术进步支持摩尔定律，使半导体更先进，助力如NVIDIA等公司制造复杂芯片。ASML在光刻领域领先，技术护城河深厚，其他公司难以超越。
➂ 这种精度（EUV）需要花费25亿美元，包括40个集装箱、20辆卡车和3架大型喷气机来运输一台EUV机器。
➃ EUV机器的光源涉及将激光发射到大约一粒花粉大小的锡滴上，这个过程每秒必须执行5万次。
➄ ASML的镜子光滑得令人难以置信，如果这些镜子和德国面积一样大，那么最大的瑕疵也将小于一毫米。
➅ 摩尔定律很大程度上依赖于ASML，其技术进步将导致更先进的半导体，使芯片能够执行更复杂的算法。
➆ 在光刻领域，没有人能接近ASML，他们的护城河在另一个层面上。
02/25/2025, 12:15 PM UTC
高NA EUV光刻机取得重要里程碑High NA EUV Lithography Machine Achieves Significant Milestone
➀ 英特尔已经开始在其工厂中使用阿斯麦的先进光刻机生产，初步数据显示其可靠性高于早期型号。
➁ 英特尔去年成为首家接收这些机器的芯片制造商，计划利用它们开发18A制造技术，预计今年晚些时候与新一代PC芯片 一起进行量产。
➂ imec展示了使用高NA EUV单图案化技术图案化的20nm间距金属线的首个电气测试结果，显示出良好的电气产量和较少的随机缺陷。
02/06/2025, 06:00 PM UTC
EUV光刻中的抗蚀剂损耗模型：随机缺陷的挑战Resist Loss Model for the EUV Stochastic Defectivity Cliffs
➀ EUV光刻受到随机缺陷的影响，这些缺陷在曝光剂量的‘悬崖’处增加，即在曝光的上下限处缺陷密度呈指数增长。
➁ 增加的剂量会导致抗蚀剂厚度减少，这是由于氢诱导的蚀刻，这对抗蚀剂性能和缺陷率有影响。
➂ 存在一个最佳入射剂量范围，其中剩余抗蚀剂中吸收的剂量达到最大值，最小化随机缺陷的风险。
01/08/2025, 12:51 PM UTC
佳能的纳米压印光刻技术旨在与极紫外光刻竞争Canon's NIL Technology Competes with EUV Lithography
➀ 佳能交付了一种可能颠覆最先进硅芯片制造方式的技术，即纳米压印光刻技术（NIL）。
➁ NIL能够绘制出小至14纳米的电路特征，与英特尔、AMD和英伟达的处理器相当。
➂ 佳能的方法与由荷兰阿斯麦独家生产的极紫外光刻系统完全不同。
12/28/2024, 04:09 AM UTC
三星和SK海力士在EUV光刻技术领域分道扬镳Samsung and SK Hynix Diverge on EUV Lithography Technology!
➀ 韩国两大半导体 巨头三星电子和SK海力士在极紫外（EUV）光刻技术上采取了不同的策略。
➁ 三星专注于提高良率，而SK海力士则专注于长期技术进步。
➂ 三星已在其华城和平泽工厂购买了30多台EUV光刻机，旨在提高生产效率。
➃ SK海力士将EUV TF并入未来技术研究院，聚焦于长期技术发展。
12/26/2024, 01:07 PM UTC
史上最佳圣诞礼物：ASML出售其TWINSCAN EXE:5000高NA光刻机的乐高模型Best Christmas Gift Ever: ASML sells 'Lego' model of its TWINSCAN EXE:5000 High-NA machine
➀ ASML为庆祝40周年，仅向员工出售其TWINSCAN EXE:5000高NA EUV光刻机的乐高模型；➁ 乐高模型售价216美元，而实际机器价值超过3.5亿美元；➂ 尽管公众对此表示兴趣，ASML确认这仍然仅限员工。12/24/2024, 06:00 PM UTC
EUV光刻中的随机 pupil 填充Stochastic Pupil Fill in EUV Lithography
➀ EUV光刻受到随机效应的影响，吸收光子数量的变化可能导致缺陷；➁ EUV系统的随机照明角度导致光子分布不均，造成图像偏移，对精确光刻图案构成挑战；➂ 减少pupil填充可以缓解随机失真，但会严重限制光刻系统的吞吐量。12/20/2024, 01:38 PM UTC
先进EUV光刻：光刻胶和蚀刻技术中的挑战与创新Advanced EUV Lithography: Challenges and Innovations in Photoresist and Etching Techniques
➀ 光刻胶在半导体制造中的重要性以及为了利用新的架构和材料而必须进行分辨率缩放。
➁ 关于产量挑战的讨论，特别是边缘放置误差（EPE）和线边缘粗糙度（LER），以及改善这些问题的理解和工具的需求。
➂ 定向自组装（DSA）作为减少线/空间光刻胶校正误差的策略介绍，及其在18纳米和21纳米金属间距中的应用。
➃ 在12纳米间距处匹配节点工艺的新光刻胶的需求，以及缺陷密度对EUV芯片成本的影响。
➄ 在工艺变化探索中，需要高吞吐量实验方法、随机缺陷的化学分析以及在3D长度尺度上的探测的重要性。
➅ 行业对高量子产率光刻胶、缺陷形成分析以及有机光刻胶的干式显影技术的需求。
